අඟල් 6 N-වර්ගය SiC උපස්ථරය

කෙටි විස්තරය:

Semicera පුළුල් පරාසයක 4H-8H SiC වේෆර් පිරිනමයි. වසර ගණනාවක් තිස්සේ අපි අර්ධ සන්නායක සහ ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා කර්මාන්ත සඳහා නිෂ්පාදන නිෂ්පාදකයෙකු සහ සැපයුම්කරුවෙකු වී සිටිමු. අපගේ ප්‍රධාන නිෂ්පාදනවලට ඇතුළත් වන්නේ: Silicon carbide etch plates, silicon carbide boat trailers, silicon carbide wafer Bots (PV & Semiconductor), silicon carbide furnace tubes, silicon carbide cantilever paddles, silicon carbide chucks, silicon carbide beamsD as C wellatingViams, TaC ආලේපන. බොහෝ යුරෝපීය සහ ඇමරිකානු වෙලඳපොලවල් ආවරණය කරයි. චීනයේ ඔබේ දිගුකාලීන සහකරු වීමට අපි බලාපොරොත්තු වෙමු.

 

නිෂ්පාදන විස්තර

නිෂ්පාදන ටැග්

සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) තනි ස්ඵටික ද්රව්ය විශාල කලාප පරතරය පළල (~Si 3 ගුණයක්), ඉහළ තාප සන්නායකතාව (~Si 3.3 ගුණයක් හෝ GaAs 10 ගුණයක්), ඉහළ ඉලෙක්ට්රෝන සන්තෘප්ත සංක්රමණ අනුපාතය (~Si 2.5 ගුණයක්), ඉහළ බිඳවැටීම් විද්යුත් ක්ෂේත්‍රය (~Si 10 වතාවක් හෝ GaAs 5 වතාවක්) සහ අනෙකුත් කැපී පෙනෙන ලක්ෂණ.

තෙවන පරම්පරාවේ අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යවලට ප්‍රධාන වශයෙන් SiC, GaN, දියමන්ති ආදිය ඇතුළත් වේ, මන්ද එහි කලාප පරතරය පළල (උදා) ඉලෙක්ට්‍රෝන වෝල්ට් 2.3 (eV) ට වඩා වැඩි හෝ සමාන වන බැවින් පුළුල් කලාප පරතරය අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍ය ලෙසද හැඳින්වේ. පළමු සහ දෙවන පරම්පරාවේ අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍ය සමඟ සසඳන විට, තුන්වන පරම්පරාවේ අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යවලට ඉහළ තාප සන්නායකතාව, අධි බිඳවැටීම් විද්‍යුත් ක්ෂේත්‍රය, ඉහළ සන්තෘප්ත ඉලෙක්ට්‍රෝන සංක්‍රමණ අනුපාතය සහ ඉහළ බන්ධන ශක්තිය වැනි වාසි ඇත, එමඟින් නවීන ඉලෙක්ට්‍රොනික තාක්ෂණයේ නව අවශ්‍යතා සපුරාලිය හැකිය. උෂ්ණත්වය, අධි බලය, අධි පීඩනය, අධි සංඛ්යාත සහ විකිරණ ප්රතිරෝධය සහ අනෙකුත් දරුණු තත්වයන්. එය ජාතික ආරක්‍ෂාව, ගුවන් සේවා, අභ්‍යවකාශය, තෙල් ගවේෂණය, දෘශ්‍ය ගබඩා කිරීම යනාදී ක්ෂේත්‍රවල වැදගත් යෙදුම් අපේක්ෂාවන් ඇති අතර බ්‍රෝඩ්බෑන්ඩ් සන්නිවේදනය, සූර්ය බලශක්තිය, මෝටර් රථ නිෂ්පාදනය වැනි බොහෝ උපායමාර්ගික කර්මාන්තවල බලශක්ති අලාභය 50% කට වඩා අඩු කළ හැකිය. අර්ධ සන්නායක ආලෝකකරණය, සහ ස්මාර්ට් ජාලකය, සහ උපාංග පරිමාව 75% ට වඩා අඩු කළ හැකිය, එය සන්ධිස්ථානයක් වැදගත් වේ මානව විද්‍යාව හා තාක්ෂණයේ දියුණුව සඳහා.

Semicera බලශක්තියට පාරිභෝගිකයින්ට උසස් තත්ත්වයේ සන්නායක (සන්නායක), අර්ධ පරිවාරක (අර්ධ පරිවාරක), HPSI (ඉහළ සංශුද්ධතාවය අර්ධ පරිවාරක) සිලිකන් කාබයිඩ් උපස්ථරයක් ලබා දිය හැකිය; ඊට අමතරව, අපට පාරිභෝගිකයින්ට සමජාතීය සහ විෂමජාතීය සිලිකන් කාබයිඩ් epitaxial තහඩු ලබා දිය හැකිය; පාරිභෝගිකයින්ගේ නිශ්චිත අවශ්‍යතා අනුව අපට epitaxial පත්‍රය අභිරුචිකරණය කළ හැකි අතර අවම ඇණවුම් ප්‍රමාණයක් නොමැත.

අයිතම

නිෂ්පාදනය

පර්යේෂණ

ඩමි

ස්ඵටික පරාමිතීන්

පොලිටයිප්

4H

මතුපිට දිශානතියේ දෝෂය

<11-20 >4±0.15°

විදුලි පරාමිතීන්

ඩොපන්ට්

n-වර්ගය නයිට්රජන්

ප්රතිරෝධකතාව

0.015-0.025ohm·cm

යාන්ත්රික පරාමිතීන්

විෂ්කම්භය

150.0 ± 0.2 මි.මී

ඝනකම

350±25 μm

ප්‍රාථමික පැතලි දිශානතිය

[1-100]±5°

ප්රාථමික පැතලි දිග

47.5 ± 1.5 මි.මී

ද්විතියික පැතලි

කිසිවක් නැත

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

දුන්න

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

ඉදිරිපස (Si-මුහුණ) රළුබව (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

ව්යුහය

ක්ෂුද්ර නල ඝනත්වය

<1 EA/cm2

<10 EA/cm2

<15 EA/cm2

ලෝහ අපද්රව්ය

≤5E10atoms/cm2

NA

BPD

≤1500 EA/cm2

≤3000 EA/cm2

NA

TSD

≤500 EA/cm2

≤1000 EA/cm2

NA

ඉදිරිපස ගුණාත්මකභාවය

ඉදිරිපස

Si

මතුපිට නිමාව

Si-Face CMP

අංශු

≤60ea/වේෆර් (ප්‍රමාණය≥0.3μm)

NA

සීරීම්

≤5ea/මි.මී. සමුච්චිත දිග ≤විෂ්කම්භය

සමුච්චිත දිග≤2*විෂ්කම්භය

NA

තැඹිලි පීල් / වලවල් / පැල්ලම් / ඉරිතැලීම් / අපවිත්ර වීම

කිසිවක් නැත

NA

Edge chips/indents/fracture/hex plates

කිසිවක් නැත

පොලිටයිප් ප්රදේශ

කිසිවක් නැත

සමුච්චිත ප්රදේශය≤20%

සමුච්චිත ප්රදේශය≤30%

ඉදිරිපස ලේසර් සලකුණු කිරීම

කිසිවක් නැත

පසුපස ගුණාත්මකභාවය

පසුපස නිමාව

C-face CMP

සීරීම්

≤5ea/mm, සමුච්චිත දිග≤2*විෂ්කම්භය

NA

පසුපස දෝෂ (දාර චිප්ස්/ඉන්ඩන්ට්)

කිසිවක් නැත

පිටුපස රළුබව

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

පසුපස ලේසර් සලකුණු කිරීම

1 මි.මී. (ඉහළ දාරයේ සිට)

දාරය

දාරය

චැම්ෆර්

ඇසුරුම්කරණය

ඇසුරුම්කරණය

රික්ත ඇසුරුම් සහිත Epi-සුදානම්

බහු වේෆර් කැසට් ඇසුරුම්

*සටහන්: "NA" යන්නෙන් අදහස් වන්නේ කිසිදු ඉල්ලීමක් සඳහන් නොකළ අයිතමයන් SEMI-STD වෙත යොමු විය හැක.

තාක්ෂණය_1_2_ප්‍රමාණය
SiC වේෆර්

Semicera සේවා ස්ථානය අර්ධ සේවා ස්ථානය 2 උපකරණ යන්ත්රය CNN සැකසීම, රසායනික පිරිසිදු කිරීම, CVD ආලේපනය අපගේ සේවය


  • පෙර:
  • ඊළඟ: