-
RTP වේෆර් වාහකයක් යනු කුමක්ද?
අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනයේදී එහි කාර්යභාරය අවබෝධ කර ගැනීම උසස් අර්ධ සන්නායක සැකසීමේදී RTP වේෆර් වාහකයන්ගේ අත්යවශ්ය කාර්යභාරය ගවේෂණය කිරීම අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන ලෝකයේ නවීන ඉලෙක්ට්රොනික උපකරණ බලගන්වන උසස් තත්ත්වයේ උපාංග නිෂ්පාදනය කිරීම සඳහා නිරවද්යතාවය සහ පාලනය ඉතා වැදගත් වේ. එකක්...තවත් කියවන්න -
Epi Carrier යනු කුමක්ද?
Epitaxial Wafer සැකසුම් තුළ එහි තීරණාත්මක කාර්යභාරය ගවේෂණය කිරීම උසස් අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනයේ Epi වාහකයන්ගේ වැදගත්කම අවබෝධ කර ගැනීම අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තයේ, උසස් තත්ත්වයේ epitaxial (epi) වේෆර් නිෂ්පාදනය ට්රාන්සිස්ටර, ඩයෝඩ වැනි නිෂ්පාදන උපාංගවල තීරණාත්මක පියවරකි.තවත් කියවන්න -
අර්ධ සන්නායක ක්රියාවලිය සහ උපකරණ (1/7) - ඒකාබද්ධ පරිපථ නිෂ්පාදන ක්රියාවලිය
1.ඒකාබද්ධ පරිපථ ගැන 1.1 සංකලිත පරිපථවල සංකල්පය සහ උපත Integrated Circuit (IC): ට්රාන්සිස්ටර සහ ඩයෝඩ වැනි සක්රීය උපාංග සහ ප්රතිරෝධක සහ ධාරිත්රක වැනි නිෂ්ක්රීය සංරචක සහිත විශේෂිත සැකසුම් තාක්ෂණික ක්රම මාලාවක් හරහා සම්බන්ධ කරන උපකරණයකි.තවත් කියවන්න -
Epi Pan Carrier යනු කුමක්ද?
අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තය උසස් තත්ත්වයේ ඉලෙක්ට්රොනික උපාංග නිෂ්පාදනය කිරීම සඳහා ඉතා විශේෂිත උපකරණ මත රඳා පවතී. epitaxial වර්ධන ක්රියාවලියේ එවැනි එක් තීරණාත්මක අංගයක් වන්නේ epi pan වාහකයයි. මෙම උපකරණ අර්ධ සන්නායක වේෆර් මත epitaxial ස්ථර තැන්පත් කිරීමේදී ප්රධාන කාර්යභාරයක් ඉටු කරයි, ensu...තවත් කියවන්න -
MOCVD Susceptor යනු කුමක්ද?
ලෝහ-කාබනික රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (MOCVD) අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තයේ තීරණාත්මක ක්රියාවලියක් වන අතර එහිදී උසස් තත්ත්වයේ තුනී පටල උපස්ථර මත තැන්පත් වේ. MOCVD ක්රියාවලියේ ප්රධාන අංගයක් වන්නේ ඒකාකාරී බව සහ ගුණාත්මක බව සහතික කිරීම සඳහා තීරණාත්මක කාර්යභාරයක් ඉටු කරන අත්යවශ්ය මූලද්රව්යයකි.තවත් කියවන්න -
SiC ආලේපනය යනු කුමක්ද?
සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) ආලේපන ඒවායේ කැපී පෙනෙන භෞතික හා රසායනික ගුණාංග හේතුවෙන් විවිධ ඉහළ කාර්ය සාධන යෙදුම් සඳහා වේගයෙන් අත්යවශ්ය වේ. භෞතික හෝ රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (CVD) හෝ ඉසීමේ ක්රම වැනි ශිල්පීය ක්රම හරහා යොදන, SiC ආලේපන මතුපිට ප්රෝ...තවත් කියවන්න -
MOCVD වේෆර් වාහකය යනු කුමක්ද?
අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන ක්ෂේත්රය තුළ MOCVD (ලෝහ කාබනික රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම) තාක්ෂණය වේගයෙන් ප්රධාන ක්රියාවලියක් බවට පත්වෙමින් පවතින අතර MOCVD වේෆර් වාහකය එහි මූලික අංගයක් වේ. MOCVD වේෆර් වාහකයේ දියුණුව එහි නිෂ්පාදන ක්රියාවලිය තුළ පමණක් නොව...තවත් කියවන්න -
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් යනු කුමක්ද?
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) යනු TaC x රසායනික සූත්රය සහිත ටැන්ටලම් සහ කාබන් ද්වීතීය සංයෝගයකි, එහිදී x සාමාන්යයෙන් 0.4 සහ 1 අතර වෙනස් වේ. ඒවා ලෝහ සන්නායකතාවය සහිත අතිශය දෘඩ, භංගුර, පරාවර්තක සෙරමික් ද්රව්ය වේ. ඔවුන් දුඹුරු-අළු කුඩු වන අතර අප ...තවත් කියවන්න -
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් යනු කුමක්ද?
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) යනු ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්රතිරෝධයක්, අධික ඝනත්වයක්, ඉහළ සංයුක්තතාවයක් සහිත අතිශය ඉහළ උෂ්ණත්ව සෙරමික් ද්රව්යයකි; ඉහළ සංශුද්ධතාවය, අපිරිසිදු අන්තර්ගතය <5PPM; සහ ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී ඇමෝනියා සහ හයිඩ්රජන් වලට රසායනික නිෂ්ක්රියතාවය සහ හොඳ තාප ස්ථායීතාවය. ඊනියා අතිශය ඉහළ ...තවත් කියවන්න -
epitaxy යනු කුමක්ද?
බොහෝ ඉංජිනේරුවන් අර්ධ සන්නායක උපාංග නිෂ්පාදනයේදී වැදගත් කාර්යභාරයක් ඉටු කරන epitaxy ගැන නුහුරු ය. Epitaxy විවිධ චිප් නිෂ්පාදනවල භාවිතා කළ හැකි අතර, විවිධ නිෂ්පාදන වලට Si epitaxy, SiC epitaxy, GaN epitaxy, ආදිය ඇතුළුව විවිධ වර්ගයේ epitaxy ඇත. epitaxy යනු කුමක්ද?Epitaxy යනු...තවත් කියවන්න -
SiC හි වැදගත් පරාමිතීන් මොනවාද?
සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) යනු අධි බල සහ අධි-සංඛ්යාත ඉලෙක්ට්රොනික උපාංගවල බහුලව භාවිතා වන වැදගත් පුළුල් කලාප ගැප් අර්ධ සන්නායක ද්රව්යයකි. පහත දැක්වෙන්නේ සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර්වල ප්රධාන පරාමිතීන් සහ ඒවායේ සවිස්තරාත්මක පැහැදිලි කිරීම්: දැලිස් පරාමිතීන්: සහතික කර ගන්න ...තවත් කියවන්න -
තනි ස්ඵටික සිලිකන් රෝල් කිරීමට අවශ්ය වන්නේ ඇයි?
රෝල් කිරීම යනු දියමන්ති ඇඹරුම් රෝදයක් භාවිතයෙන් සිලිකන් තනි ස්ඵටික දණ්ඩක පිටත විෂ්කම්භය අවශ්ය විෂ්කම්භයේ තනි ස්ඵටික සැරයටියකට ඇඹරීම සහ තනි පළිඟු දණ්ඩේ පැතලි දාර යොමු මතුපිටක් හෝ ස්ථානගත කිරීමේ ක්රියාවලියයි. පිටත විෂ්කම්භය මතුපිට ...තවත් කියවන්න