Semicera විවිධ සංරචක සහ වාහකයන් සඳහා විශේෂිත ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) ආලේපන සපයයි.Semicera ප්‍රමුඛ ආෙල්පන ක්‍රියාවලිය ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) ආෙල්පනවලට ඉහළ සංශුද්ධතාවය, ඉහළ උෂ්ණත්ව ස්ථායීතාව සහ ඉහළ රසායනික ඉවසීම ලබා ගැනීමට හැකියාව ලබා දෙයි, SIC/GAN ස්ඵටිකවල සහ EPI ස්ථරවල නිෂ්පාදන ගුණත්වය වැඩි දියුණු කරයි (ග්රැෆයිට් ආලේපිත TaC susceptor), සහ ප්රධාන ප්රතික්රියාකාරක සංරචකවල ආයු කාලය දීර්ඝ කිරීම. ටැන්ටලම් කාබයිඩ් TaC ආලේපනය භාවිතා කිරීම දාර ගැටලුව විසඳීම සහ ස්ඵටික වර්ධනයේ ගුණාත්මක භාවය වැඩිදියුණු කිරීම සඳහා වන අතර, Semicera Semicera විසින් ජාත්‍යන්තර උසස් මට්ටමට ළඟා වෙමින් ටැන්ටලම් කාබයිඩ් ආලේපන තාක්ෂණය (CVD) විසඳා ඇත.
වසර ගණනාවක සංවර්ධනයෙන් පසුව, Semicera තාක්ෂණය ජයගෙන ඇතCVD TaCපර්යේෂණ සහ සංවර්ධන දෙපාර්තමේන්තුවේ ඒකාබද්ධ උත්සාහයන් සමඟ. SiC වේෆර්වල වර්ධන ක්‍රියාවලියේදී දෝෂ ඇතිවීම පහසුය, නමුත් භාවිතයෙන් පසුවTaC, වෙනස සැලකිය යුතු ය. පහත දැක්වෙන්නේ TaC සමඟ සහ රහිත වේෆර්වල සංසන්දනය මෙන්ම තනි ස්ඵටික වර්ධනය සඳහා Simicera' කොටස්
TaC සමඟ සහ නැතිව
TaC භාවිතා කිරීමෙන් පසු (දකුණ)
මීට අමතරව, Semicera's TaC ආලේපන නිෂ්පාදනවල සේවා කාලය දිගු වන අතර SiC ආලේපනයට වඩා ඉහළ උෂ්ණත්වයට වඩා ප්‍රතිරෝධී වේ. දිගු කාලයක් රසායනාගාර මිනුම් දත්ත වලින් පසුව, අපගේ TaC ට උපරිම සෙල්සියස් අංශක 2300 ක් දක්වා දිගු කාලයක් වැඩ කළ හැකිය. පහත දැක්වෙන්නේ අපගේ සාම්පල කිහිපයකි.
(අ) PVT ක්‍රමය මගින් SiC තනි ස්ඵටික ingot වැඩෙන උපාංගයේ ක්‍රමානුරූප රූප සටහන (b) Top TaC ආලේපිත බීජ වරහන (SiC බීජ ඇතුළුව) (c) TAC-ආලේපිත ග්රැෆයිට් මාර්ගෝපදේශ මුද්ද
