සිලිකන් කාබයිඩ් ආලේපනය හැඳින්වීම
අපගේ රසායනික වාෂ්ප තැන්පතු (CVD) සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) ආලේපනය ඉතා කල් පවතින සහ ඇඳීමට ඔරොත්තු දෙන ස්ථරයක් වන අතර, ඉහළ විඛාදන සහ තාප ප්‍රතිරෝධයක් ඉල්ලා සිටින පරිසරයන් සඳහා වඩාත් සුදුසු වේ.සිලිකන් කාබයිඩ් ආලේපනයCVD ක්‍රියාවලිය හරහා විවිධ උපස්ථර මත තුනී ස්ථරවල යොදනු ලබන අතර, උසස් කාර්ය සාධන ලක්ෂණ ඉදිරිපත් කරයි.
ප්රධාන ලක්ෂණ
● -විශේෂ සංශුද්ධතාවය: අතිශය පිරිසිදු සංයුතියක් ගැන පුරසාරම් දොඩයි99.99995%, අපේSiC ආලේපනයසංවේදී අර්ධ සන්නායක මෙහෙයුම් වලදී දූෂණය වීමේ අවදානම අවම කරයි.
● -සුපිරි ප්‍රතිරෝධය: ඇඳීමට සහ විඛාදනයට විශිෂ්ට ප්‍රතිරෝධයක් පෙන්නුම් කරයි, එය අභියෝගාත්මක රසායනික සහ ප්ලාස්මා සැකසුම් සඳහා පරිපූර්ණ කරයි.
● -අධි තාප සන්නායකතාව: එහි කැපී පෙනෙන තාප ගුණ නිසා අධික උෂ්ණත්වයන් යටතේ විශ්වසනීය කාර්ය සාධනය සහතික කරයි.
● -මාන ස්ථාවරත්වය: එහි අඩු තාප ප්‍රසාරණ සංගුණකය නිසා, පුළුල් පරාසයක උෂ්ණත්වවල ව්‍යුහාත්මක අඛණ්ඩතාව පවත්වා ගනී.
● - වැඩි දියුණු කළ දෘඪතාව: දෘඪතාව ශ්රේණිගත කිරීම සමඟ40 GPa, අපගේ SiC ආලේපනය සැලකිය යුතු බලපෑමක් සහ උල්ෙල්ඛ වලට ඔරොත්තු දෙයි.
● -Smooth Surface Finish: දර්පණ වැනි නිමාවක් සපයයි, අංශු උත්පාදනය අඩු කිරීම සහ මෙහෙයුම් කාර්යක්ෂමතාව වැඩි කිරීම.
යෙදුම්
සෙමිසෙරා SiC ආලේපනඅර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනයේ විවිධ අවස්ථා වලදී භාවිතා වේ, ඇතුළුව:
● -LED Chip Fabrication
● -පොලිසිලිකන් නිෂ්පාදනය
● -අර්ධ සන්නායක ස්ඵටික වර්ධනය
● -සිලිකන් සහ SiC Epitaxy
● -තාප ඔක්සිකරණය සහ විසරණය (TO&D)
අපි ද්‍රවීකරණය කරන ලද ඇඳ ප්‍රතික්‍රියාකාරක සඳහා සකස් කරන ලද අධි-ශක්ති සමස්ථිතික ග්‍රැෆයිට්, කාබන් ෆයිබර්-ප්‍රතිශක්තිකරණ කාබන් සහ 4N ප්‍රතිස්ඵටිකීකරණය කරන ලද සිලිකන් කාබයිඩ් වලින් සාදන ලද SiC-ආලේපිත සංරචක සපයන්නෙමු.STC-TCS පරිවර්තක, CZ ඒකක පරාවර්තක, SiC වේෆර් බෝට්ටුව, SiCwafer paddle, SiC වේෆර් ටියුබ්, සහ PECVD, silicon epitaxy, MOCVD ක්‍රියාවලීන්හි භාවිතා වන වේෆර් වාහක.
ප්රතිලාභ
● - දිගු කළ ආයු කාලය: උපකරණ අක්‍රිය කාලය සහ නඩත්තු වියදම් සැලකිය යුතු ලෙස අඩු කරයි, සමස්ත නිෂ්පාදන කාර්යක්ෂමතාව වැඩි කරයි.
● -වැඩිදියුණු කළ ගුණාත්මකභාවය: අර්ධ සන්නායක පිරිසැකසුම් කිරීම සඳහා අවශ්‍ය ඉහළ සංශුද්ධතාවය ඇති පෘෂ්ඨ සාක්ෂාත් කරගනිමින් නිෂ්පාදනයේ ගුණාත්මකභාවය ඉහළ නංවයි.
● -කාර්යක්ෂමතාව වැඩි වීම: තාප සහ CVD ක්‍රියාවලීන් ප්‍රශස්ත කරයි, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස කෙටි චක්‍ර කාලයන් සහ ඉහළ අස්වැන්නක් ලැබේ.
තාක්ෂණික පිරිවිතර
● -ව්‍යුහය: FCC β අදියර බහු ස්ඵටික, ප්රධාන වශයෙන් (111) දිශානුගත
● -ඝනත්වය: 3.21 g/cm³
● - දෘඪතාව: 2500 Vickes දෘඪතාව (500g භාරය)
● - කැඩුම් බිඳුම් තද බව: 3.0 MPa·m1/2
● -තාප ප්‍රසාරණ සංගුණකය (100-600 °C): 4.3 x 10-6k-1
● -ප්‍රත්‍යාස්ථ මාපාංකය(1300℃):435 GPa
● -සාමාන්‍ය චිත්‍රපට ඝනකම:100 μm
● - මතුපිට රළු බව:2-10 µm
සංශුද්ධතා දත්ත (ග්ලෝ විසර්ජන ස්කන්ධ වර්ණාවලීක්ෂය මගින් මනිනු ලැබේ)
| මූලද්රව්යය | ppm | මූලද්රව්යය | ppm |
| Li | < 0.001 | Cu | < 0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | < 0.05 |
| අල් | < 0.04 | Ga | < 0.01 |
| P | < 0.01 | Ge | < 0.05 |
| S | < 0.04 | As | < 0.005 |
| K | < 0.05 | In | < 0.01 |
| Ca | < 0.05 | Sn | < 0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | < 0.01 |
| V | < 0.001 | W | < 0.05 |
| Cr | < 0.05 | Te | < 0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | < 0.01 |
| Fe | < 0.05 | Bi | < 0.05 |
| Ni | < 0.01 |
|
