අර්ධ සංශුද්ධතාවයසිලිකන් කාබයිඩ් පැඩලයනවීන අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලීන්හි දැඩි ඉල්ලීම් සපුරාලීම සඳහා ඉතා සූක්ෂම ලෙස නිර්මාණය කර ඇත. මෙමSiC Cantilever Paddleඅසමසම තාප ස්ථායීතාවයක් සහ යාන්ත්රික කල්පැවැත්මක් ලබා දෙමින් ඉහළ උෂ්ණත්ව පරිසරයන් තුළ විශිෂ්ටයි. SiC Cantilever ව්‍යුහය ගොඩනගා ඇත්තේ ආන්තික තත්වයන්ට ඔරොත්තු දෙන පරිදි, විවිධ ක්‍රියාවලීන් හරහා විශ්වාසදායක වේෆර් හැසිරවීම සහතික කරයි.
හි ප්‍රධාන නවෝත්පාදනයන්ගෙන් එකකිSiC Paddleඑහි සැහැල්ලු නමුත් ශක්තිමත් සැලසුමක් වන අතර එමඟින් පවතින පද්ධතිවලට පහසුවෙන් ඒකාබද්ධ වීමට ඉඩ සලසයි. එහි ඉහළ තාප සන්නායකතාවය කැටයම් කිරීම සහ තැන්පත් වීම වැනි තීරණාත්මක අවධීන්හිදී වේෆර් ස්ථායීතාවය පවත්වා ගැනීමට උපකාරී වේ, වේෆර් හානි අවදානම අවම කිරීම සහ ඉහළ නිෂ්පාදන අස්වැන්නක් සහතික කිරීම. පැඩල් ඉදිකිරීමේදී අධික ඝනත්ව සිලිකන් කාබයිඩ් භාවිතය එහි ඇඳීමට සහ ඉරීම සඳහා ප්රතිරෝධය වැඩි කරයි, දිගු මෙහෙයුම් ආයු කාලයක් ලබා දීම සහ නිතර ප්‍රතිස්ථාපනය කිරීමේ අවශ්‍යතාවය අඩු කරයි.
Semicera නවෝත්පාදනය කෙරෙහි දැඩි අවධානයක් යොමු කරයි, aSiC Cantilever Paddleකර්මාන්ත ප්‍රමිතීන් සපුරාලීම පමණක් නොව ඉක්මවා යයි. නිරවද්‍යතාවය සහ විශ්වසනීයත්වය ඉතා වැදගත් වන තැන්පත් කිරීමේ සිට කැටයම් කිරීම දක්වා විවිධ අර්ධ සන්නායක යෙදුම්වල භාවිතය සඳහා මෙම පැඩලය ප්‍රශස්ත කර ඇත. මෙම අති නවීන තාක්‍ෂණය ඒකාබද්ධ කිරීමෙන්, නිෂ්පාදකයින්ට වැඩි දියුණු කළ කාර්යක්ෂමතාව, අඩු නඩත්තු වියදම් සහ ස්ථාවර නිෂ්පාදන ගුණාත්මකභාවය අපේක්ෂා කළ හැකිය.
| Recrystallized Silicon Carbide හි භෞතික ගුණාංග | |
| දේපල | සාමාන්ය අගය |
| වැඩ කරන උෂ්ණත්වය (°C) | 1600 ° C (ඔක්සිජන් සහිත), 1700 ° C (පරිසරය අඩු කිරීම) |
| SiC අන්තර්ගතය | > 99.96% |
| නිදහස් Si අන්තර්ගතය | < 0.1% |
| තොග ඝනත්වය | 2.60-2.70 g / සෙ.මී3 |
| පෙනෙන porosity | < 16% |
| සම්පීඩන ශක්තිය | > 600 MPa |
| සීතල නැමීමේ ශක්තිය | 80-90 MPa (20°C) |
| උණුසුම් නැමීමේ ශක්තිය | 90-100 MPa (1400°C) |
| තාප ප්‍රසාරණය @1500°C | 4.70 10-6/°සී |
| තාප සන්නායකතාවය @1200°C | 23 W/m•K |
| ඉලාස්ටික් මොඩියුලය | 240 GPa |
| තාප කම්පන ප්රතිරෝධය | අතිශයින්ම හොඳයි |
