-
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් යනු කුමක්ද?
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) යනු TaC x රසායනික සූත්‍රය සහිත ටැන්ටලම් සහ කාබන් ද්වීතීය සංයෝගයකි, එහිදී x සාමාන්‍යයෙන් 0.4 සහ 1 අතර වෙනස් වේ. ඒවා ලෝහ සන්නායකතාවය සහිත අතිශය දෘඩ, භංගුර, පරාවර්තක සෙරමික් ද්‍රව්‍ය වේ. ඔවුන් දුඹුරු-අළු කුඩු වන අතර අප ...තවත් කියවන්න -
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් යනු කුමක්ද?
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) යනු ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්‍රතිරෝධයක්, අධික ඝනත්වයක්, ඉහළ සංයුක්තතාවයක් සහිත අතිශය ඉහළ උෂ්ණත්ව සෙරමික් ද්‍රව්‍යයකි; ඉහළ සංශුද්ධතාවය, අපිරිසිදු අන්තර්ගතය <5PPM; සහ ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී ඇමෝනියා සහ හයිඩ්රජන් වලට රසායනික නිෂ්ක්රියතාවය සහ හොඳ තාප ස්ථායීතාවය. ඊනියා අතිශය ඉහළ ...තවත් කියවන්න -
epitaxy යනු කුමක්ද?
බොහෝ ඉංජිනේරුවන් අර්ධ සන්නායක උපාංග නිෂ්පාදනයේදී වැදගත් කාර්යභාරයක් ඉටු කරන epitaxy ගැන නුහුරු ය. Epitaxy විවිධ චිප් නිෂ්පාදනවල භාවිතා කළ හැකි අතර, විවිධ නිෂ්පාදන වලට Si epitaxy, SiC epitaxy, GaN epitaxy, ආදිය ඇතුළුව විවිධ වර්ගයේ epitaxy ඇත. epitaxy යනු කුමක්ද?Epitaxy යනු...තවත් කියවන්න -
SiC හි වැදගත් පරාමිතීන් මොනවාද?
සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) යනු අධි බල සහ අධි-සංඛ්‍යාත ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංගවල බහුලව භාවිතා වන වැදගත් පුළුල් කලාප ගැප් අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යයකි. පහත දැක්වෙන්නේ සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර්වල ප්‍රධාන පරාමිතීන් සහ ඒවායේ සවිස්තරාත්මක පැහැදිලි කිරීම්: දැලිස් පරාමිතීන්: සහතික කර ගන්න ...තවත් කියවන්න -
තනි ස්ඵටික සිලිකන් රෝල් කිරීමට අවශ්ය වන්නේ ඇයි?
රෝල් කිරීම යනු දියමන්ති ඇඹරුම් රෝදයක් භාවිතයෙන් සිලිකන් තනි ස්ඵටික දණ්ඩක පිටත විෂ්කම්භය අවශ්ය විෂ්කම්භයේ තනි ස්ඵටික සැරයටියකට ඇඹරීම සහ තනි පළිඟු දණ්ඩේ පැතලි දාර යොමු මතුපිටක් හෝ ස්ථානගත කිරීමේ ක්‍රියාවලියයි. පිටත විෂ්කම්භය මතුපිට ...තවත් කියවන්න -
උසස් තත්ත්වයේ SiC කුඩු නිෂ්පාදනය සඳහා ක්රියාවලි
සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) යනු එහි සුවිශේෂී ගුණාංග සඳහා දන්නා අකාබනික සංයෝගයකි. මොයිසානයිට් ලෙස හඳුන්වන ස්වභාවිකව ඇති වන SiC තරමක් දුර්ලභ ය. කාර්මික යෙදීම් වලදී, සිලිකන් කාබයිඩ් ප්‍රධාන වශයෙන් නිපදවනු ලබන්නේ කෘතිම ක්‍රම මගිනි. Semicera Semiconductor හිදී, අපි උසස් තාක්ෂණය භාවිතා කරමු...තවත් කියවන්න -
ස්ඵටික ඇදීමේදී රේඩියල් ප්රතිරෝධක ඒකාකාරිත්වය පාලනය කිරීම
තනි ස්ඵටිකවල රේඩියල් ප්‍රතිරෝධයේ ඒකාකාරිත්වයට බලපාන ප්‍රධාන හේතු වනුයේ ඝන ද්‍රව අතුරු මුහුණතේ සමතලා බව සහ ස්ඵටික වර්ධනයේදී කුඩා තල ආචරණය ස්ඵටික වර්ධනයේදී ඝන ද්‍රව අතුරුමුහුණතේ සමතලා භාවයේ බලපෑමයි. , ද...තවත් කියවන්න -
චුම්බක ක්ෂේත්‍ර තනි ස්ඵටික උදුන තනි ස්ඵටිකයේ ගුණාත්මක භාවය වැඩි දියුණු කළ හැක්කේ ඇයි?
crucible බහාලුමක් ලෙස භාවිතා වන අතර ඇතුළත සංවහනය ඇති බැවින්, ජනනය කරන ලද තනි ස්ඵටිකයේ ප්‍රමාණය වැඩි වන විට, තාප සංවහනය සහ උෂ්ණත්ව අනුක්‍රමය ඒකාකාරිත්වය පාලනය කිරීම වඩාත් අපහසු වේ. සන්නායක දියවීම Lorentz බලය මත ක්‍රියා කිරීමට චුම්බක ක්ෂේත්‍රය එකතු කිරීමෙන්, සංවහනය විය හැක...තවත් කියවන්න -
sublimation ක්‍රමය මගින් CVD-SiC තොග මූලාශ්‍රය භාවිතා කරමින් SiC තනි ස්ඵටිකවල වේගවත් වර්ධනය
Sublimation ක්‍රමය හරහා CVD-SiC තොග මූලාශ්‍රය භාවිතා කරමින් SiC තනි ස්ඵටිකයේ වේගවත් වර්ධනය SiC ප්‍රභවය ලෙස ප්‍රතිචක්‍රීකරණය කරන ලද CVD-SiC කුට්ටි භාවිතයෙන්, PVT ක්‍රමය හරහා SiC ස්ඵටික 1.46 mm/h වේගයකින් සාර්ථකව වර්ධනය විය. වැඩුණු ස්ඵටිකයේ ක්ෂුද්‍ර නල සහ විස්ථාපන ඝණත්වය පෙන්නුම් කරන්නේ ඩී...තවත් කියවන්න -
Silicon Carbide Epitaxial Growth Equipment මත ප්‍රශස්ත සහ පරිවර්තනය කළ අන්තර්ගතය
සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) උපස්ථරවල සෘජු සැකසුම් වලක්වන බොහෝ දෝෂ ඇත. චිප් වේෆර් නිර්මාණය කිරීම සඳහා, එපිටාක්සියල් ක්‍රියාවලියක් හරහා SiC උපස්ථරය මත නිශ්චිත තනි-ස්ඵටික පටලයක් වර්ධනය කළ යුතුය. මෙම චිත්රපටය epitaxial ස්ථරය ලෙස හැඳින්වේ. සියලුම SiC උපාංග පාහේ epitaxial මත සාක්ෂාත් කර ඇත...තවත් කියවන්න -
අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනයේදී SiC-ආලේපිත ග්‍රැෆයිට් අනුකාරකවල තීරණාත්මක කාර්යභාරය සහ යෙදුම් අවස්ථා
Semicera Semiconductor ගෝලීය වශයෙන් අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන උපකරණ සඳහා මූලික සංරචක නිෂ්පාදනය වැඩි කිරීමට සැලසුම් කරයි. 2027 වන විට ඇමෙරිකානු ඩොලර් මිලියන 70ක මුළු ආයෝජනයකින් වර්ග මීටර් 20,000ක නව කර්මාන්ත ශාලාවක් පිහිටුවීමට අපි ඉලක්ක කරමු. අපගේ මූලික සංරචකවලින් එකක් වන සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) වේෆර් කාර්...තවත් කියවන්න -
අපි සිලිකන් වේෆර් උපස්ථර මත epitaxy කිරීමට අවශ්ය වන්නේ ඇයි?
අර්ධ සන්නායක කර්මාන්ත දාමයේ, විශේෂයෙන් තුන්වන පරම්පරාවේ අර්ධ සන්නායක (පුළුල් කලාපීය අර්ධ සන්නායක) කර්මාන්ත දාමයේ, උපස්ථර සහ epitaxial ස්ථර ඇත. epitaxial ස්ථරයේ වැදගත්කම කුමක්ද? උපස්ථරය සහ උපස්ථරය අතර වෙනස කුමක්ද? උපස්ථර...තවත් කියවන්න