අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තය උසස් තත්ත්වයේ ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග නිෂ්පාදනය කිරීම සඳහා ඉතා විශේෂිත උපකරණ මත රඳා පවතී. epitaxial වර්ධන ක්‍රියාවලියේ එවැනි එක් තීරණාත්මක අංගයක් වන්නේ epi pan වාහකයයි. මෙම උපකරණ අර්ධ සන්නායක වේෆර් මත epitaxial ස්ථර තැන්පත් කිරීමේදී ප්‍රධාන කාර්යභාරයක් ඉටු කරයි, අවසාන නිෂ්පාදනයේ ඒකාකාරිත්වය සහ ගුණාත්මකභාවය සහතික කරයි.
epitaxy pan carrier ලෙසද හැඳින්වෙන epi pan carrier යනු epitaxial වර්ධන ක්‍රියාවලියේදී භාවිතා කරන විශේෂයෙන් නිර්මාණය කරන ලද තැටියකි. එය epitaxial ස්ථර තැන්පත් කිරීමේදී අර්ධ සන්නායක වේෆර් රඳවා තබා ගැනීමට සහ සහාය දක්වයි. තනි ස්ඵටික ස්ථර වර්ධනය සඳහා ස්ථායී වේදිකාවක් සපයමින්, epitaxial ක්‍රියාවලීන්හි සාමාන්‍ය ඉහළ උෂ්ණත්වයන් සහ විඛාදන පරිසරයන්ට ඔරොත්තු දීම සඳහා මෙම වාහකයන් නිර්මාණය කර ඇත.
ද්රව්ය සහ ඉදිකිරීම්:
Epi පෑන් වාහක සාමාන්‍යයෙන් සෑදී ඇත්තේ අධික උෂ්ණත්වයන් දරාගත හැකි සහ රසායනික ප්‍රතික්‍රියා වලට ප්‍රතිරෝධී වන ද්රව්ය වලින්. පොදු ද්රව්ය ඇතුළත් වේ:
•සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC): එහි ඉහළ තාප සන්නායකතාවය සහ ඇඳීමට සහ ඔක්සිකරණයට ප්‍රතිරෝධය සඳහා ප්‍රසිද්ධ, SiC යනු එපි පෑන් වාහකයන් සඳහා ජනප්‍රිය තේරීමකි.
• ග්රැෆයිට්: එහි විශිෂ්ට තාප ගුණ සහ ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී ව්යුහාත්මක අඛණ්ඩතාව පවත්වා ගැනීමට ඇති හැකියාව හේතුවෙන් බොහෝ විට භාවිතා වේ. ග්රැෆයිට් වාහක සාමාන්‍යයෙන් ඒවායේ කල්පැවැත්ම සහ විඛාදනයට ප්‍රතිරෝධය වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා SiC සමඟ ආලේප කර ඇත.
එපිටාක්සියල් වර්ධන ක්‍රියාවලියේ කාර්යභාරය:
උපස්ථරයක් හෝ වේෆරයක් මත ස්ඵටිකරූපී ද්රව්ය තුනී ස්ථරයක් තැන්පත් කිරීම epitaxial වර්ධන ක්‍රියාවලියට ඇතුළත් වේ. නිශ්චිත විද්‍යුත් ගුණ සහිත අර්ධ සන්නායක උපාංග නිර්මාණය කිරීමේදී මෙම ක්‍රියාවලිය ඉතා වැදගත් වේ. එපි පෑන් වාහකය ප්‍රතික්‍රියා කුටියේ වේෆරයට සහය වන අතර තැන්පත් වීමේ ක්‍රියාවලියේදී එය ස්ථායීව පවතින බව සහතික කරයි.
එපි පෑන් වාහකයේ ප්‍රධාන කාර්යයන්ට ඇතුළත් වන්නේ:
• ඒකාකාර තාප ව්‍යාප්තිය: වාහකය මඟින් වේෆරය හරහා ඒකාකාර තාප ව්‍යාප්තිය සහතික කරයි, එය ස්ථාවර epitaxial ස්ථරයේ ඝනකම සහ ගුණාත්මක බව ලබා ගැනීම සඳහා අත්‍යවශ්‍ය වේ.
• රසායනික හුදකලා කිරීම: ස්ථායී සහ නිෂ්ක්‍රීය මතුපිටක් ලබා දීමෙන්, වාහකයා එපිටාක්සියල් ස්ථරයේ ගුණාත්මක භාවය පිරිහීමට ලක් කළ හැකි අනවශ්‍ය රසායනික ප්‍රතික්‍රියා වළක්වයි.
උසස් තත්ත්වයේ ප්රතිලාභඑපි පෑන් වාහකයන්:
• වැඩිදියුණු කළ උපාංග කාර්ය සාධනය: ඒකාකාර epitaxial ස්ථර අර්ධ සන්නායක උපාංගවල උසස් ක්‍රියාකාරීත්වයට දායක වන අතර එමඟින් වඩා හොඳ කාර්යක්ෂමතාවයක් සහ විශ්වසනීයත්වයක් ඇති වේ.
• වැඩි අස්වැන්නක්: දෝෂ අවම කිරීම සහ ඒකාකාර ස්ථර තැන්පත් වීම සහතික කිරීම මගින්, උසස් තත්ත්වයේ වාහකයන් භාවිතා කළ හැකි අර්ධ සන්නායක වේෆර්වල අස්වැන්න වැඩි දියුණු කරයි.
• නඩත්තු වියදම් අඩු කිරීම: කල් පවතින ද්රව්ය සහ නිරවද්‍ය ඉංජිනේරු විද්‍යාව නිතර ප්‍රතිස්ථාපන හා නඩත්තු කිරීමේ අවශ්‍යතාවය අඩු කරයි, සමස්ත නිෂ්පාදන පිරිවැය අඩු කරයි.
අර්ධ සන්නායක උපාංගවල ගුණාත්මක භාවයට සහ අනුකූලතාවයට සෘජුවම බලපාන epitaxial වර්ධන ක්‍රියාවලියේ වැදගත් අංගයක් වන්නේ epi pan වාහකයයි. නිවැරදි ද්රව්ය සහ සැලසුම තෝරා ගැනීමෙන්, නිෂ්පාදකයින්ට එපිටාක්සියල් ක්‍රියාවලිය ප්‍රශස්ත කළ හැකි අතර, උපාංග ක්‍රියාකාරිත්වය වැඩි දියුණු කිරීමට සහ නිෂ්පාදන පිරිවැය අඩු කිරීමට හේතු වේ. උසස් ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග සඳහා ඇති ඉල්ලුම වර්ධනය වන විට, උසස් තත්ත්වයේ වැදගත්කම වැඩි වේepi පෑන් වාහකයන්අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තයේ අඛණ්ඩව වැඩි වේ.
පසු කාලය: අගෝස්තු-13-2024