විස්තරය
MOCVD (ලෝහ-කාබනික රසායනික වාෂ්ප තැන්පතු) සඳහා Semicorex's SiC Wafer Susceptors නිර්මාණය කර ඇත්තේ epitaxial තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලීන්ගේ නියම ඉල්ලීම් සපුරාලීම සඳහා ය. උසස් තත්ත්වයේ සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) භාවිතා කරමින්, අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යවල නිරවද්‍ය සහ කාර්යක්ෂම වර්ධනය සහතික කරමින්, ඉහළ උෂ්ණත්ව සහ විඛාදන පරිසරයන් තුළ මෙම susceptors අසමසම කල්පැවැත්මක් සහ කාර්ය සාධනයක් ලබා දෙයි.
ප්රධාන ලක්ෂණ:
1. උසස් ද්රව්යමය ගුණාංගඉහළ ශ්‍රේණියේ SiC වලින් සාදන ලද, අපගේ වේෆර් susceptors සුවිශේෂී තාප සන්නායකතාවය සහ රසායනික ප්‍රතිරෝධය ප්‍රදර්ශනය කරයි. මෙම ගුණාංග මගින් දිගුකාලීන පැවැත්ම සහ විශ්වාසනීය කාර්ය සාධනය සහතික කරමින්, අධික උෂ්ණත්වයන් සහ විඛාදන වායු ඇතුළු MOCVD ක්‍රියාවලීන්ගේ ආන්තික තත්වයන්ට ඔරොත්තු දීමට ඔවුන්ට හැකියාව ලැබේ.
2. Epitaxial තැන්පත් කිරීමේ නිරවද්‍යතාවයඅපගේ SiC Wafer Susceptors හි නිරවද්‍ය ඉංජිනේරු විද්‍යාව වේෆර් පෘෂ්ඨය හරහා ඒකාකාර උෂ්ණත්ව ව්‍යාප්තිය සහතික කරයි, ස්ථාවර සහ උසස් තත්ත්වයේ epitaxial ස්ථර වර්ධනයට පහසුකම් සපයයි. ප්‍රශස්ත විද්‍යුත් ගුණ සහිත අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනය සඳහා මෙම නිරවද්‍යතාවය ඉතා වැදගත් වේ.
3. වැඩි දියුණු කළ කල්පැවැත්මදැඩි ක්‍රියාවලි පරිසරයන්ට අඛණ්ඩව නිරාවරණය වීම යටතේ වුවද, ශක්තිමත් SiC ද්‍රව්‍ය ඇඳීමට හා දිරාපත්වීමට විශිෂ්ට ප්‍රතිරෝධයක් සපයයි. මෙම කල්පැවැත්ම මගින් susceptor ප්රතිස්ථාපන වාර ගණන අඩු කරයි, අක්‍රිය කාලය සහ මෙහෙයුම් පිරිවැය අවම කරයි.
අයදුම්පත්:
MOCVD සඳහා Semicorex's SiC Wafer Susceptors ඉතා සුදුසු වන්නේ:
• අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යවල එපිටාක්සීය වර්ධනය
• අධි-උෂ්ණත්ව MOCVD ක්‍රියාවලි
• GaN, AlN, සහ අනෙකුත් සංයෝග අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනය
• උසස් අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන යෙදුම්
CVD-SIC ආලේපනවල ප්රධාන පිරිවිතර:
ප්රතිලාභ:
•ඉහළ නිරවද්යතාව: ඒකාකාර සහ උසස් තත්ත්වයේ epitaxial වර්ධනය සහතික කරයි.
•දිගුකාලීන කාර්ය සාධනය: සුවිශේෂී කල්පැවැත්ම ප්රතිස්ථාපන සංඛ්යාතය අඩු කරයි.
• පිරිවැය-කාර්යක්ෂමතාව: අඩු කරන ලද අක්‍රීය කාලය සහ නඩත්තුව හරහා මෙහෙයුම් වියදම් අවම කරයි.
•බහුකාර්යතාව: විවිධ MOCVD ක්‍රියාවලි අවශ්‍යතා වලට ගැලපෙන පරිදි අභිරුචිකරණය කළ හැක.
