ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC)ඉහළ ද්රවාංකය, ඉහළ දෘඪතාව, හොඳ රසායනික ස්ථායීතාවය, ප්රබල විද්යුත් හා තාප සන්නායකතාවය යනාදී වාසි සහිත සුපිරි-ඉහළ උෂ්ණත්වයට ඔරොත්තු දෙන සෙරමික් ද්රව්යයකි.TaC ආලේපනයඉවත් කිරීමට-ප්‍රතිරෝධී ආලේපනයක්, ඔක්සිකරණ-ප්‍රතිරෝධක ආලේපනයක් සහ ඇඳුම්-ප්‍රතිරෝධක ආලේපනයක් ලෙස භාවිතා කළ හැකි අතර, අභ්‍යවකාශ තාප ආරක්ෂණය, තුන්වන පරම්පරාවේ අර්ධ සන්නායක තනි ස්ඵටික වර්ධනය, බලශක්ති ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ සහ අනෙකුත් ක්ෂේත්‍රවල බහුලව භාවිතා වේ.
ක්රියාවලිය:
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC)ඉහළ ද්රවාංකය, ඉහළ දෘඪතාව, හොඳ රසායනික ස්ථායීතාවය, ප්රබල විද්යුත් සහ තාප සන්නායකතාවයේ වාසි සහිත අතිශය ඉහළ උෂ්ණත්වයට ඔරොත්තු දෙන සෙරමික් ද්රව්ය වර්ගයකි. එබැවින්,TaC ආලේපනයඉවත් කිරීමට-ප්‍රතිරෝධී ආලේපනයක්, ඔක්සිකරණ-ප්‍රතිරෝධක ආලේපනයක් සහ ඇඳුම්-ප්‍රතිරෝධක ආලේපනයක් ලෙස භාවිතා කළ හැකි අතර, අභ්‍යවකාශ තාප ආරක්ෂණය, තුන්වන පරම්පරාවේ අර්ධ සන්නායක තනි ස්ඵටික වර්ධනය, බලශක්ති ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ සහ අනෙකුත් ක්ෂේත්‍රවල බහුලව භාවිතා වේ.
ආලේපනවල ආවේණික ලක්ෂණ:
සකස් කිරීම සඳහා අපි පොහොර-සින්ටර් කිරීමේ ක්රමය භාවිතා කරමුTaC ආලේපනවිවිධ ප්රමාණයේ ග්රැෆයිට් උපස්ථර මත විවිධ ඝනකම. පළමුව, Ta මූලාශ්‍රය සහ C ප්‍රභවය අඩංගු අධි-පිරිසිදු කුඩු ඒකාකාර සහ ස්ථායී පූර්වජ පොහොර පොහොර සෑදීම සඳහා විසුරුම සහ බන්ධක සමඟ වින්‍යාස කර ඇත. ඒ අතරම, ග්රැෆයිට් කොටස්වල ප්රමාණය සහ ඝණකම අවශ්යතා අනුවTaC ආලේපනය, පෙර-ආලේපනය ඉසීම, වත් කිරීම, ආක්රමණය සහ වෙනත් ආකාරවලින් සකස් කර ඇත. අවසාන වශයෙන්, එය ඒකාකාර, ඝන, තනි-අදියර සහ හොඳින් ස්ඵටිකයක් සකස් කිරීම සඳහා රික්ත පරිසරයක් තුළ 2200℃ දක්වා රත් කරනු ලැබේ.TaC ආලේපනය.
ආලේපනවල ආවේණික ලක්ෂණ:
ඝණකම වේTaC ආලේපනය10-50 μm පමණ වන අතර, ධාන්ය නිදහස් දිශානතියකින් වර්ධනය වන අතර, එය අනෙකුත් අපද්රව්ය නොමැතිව තනි-අදියර මුහුණට කේන්ද්රගත ඝනක ව්යුහයක් සහිත TaC වලින් සමන්විත වේ; ආලේපනය ඝන, ව්යුහය සම්පූර්ණ වන අතර, ස්ඵටිකතාවය ඉහළ ය.TaC ආලේපනයමිනිරන් මතුපිට සිදුරු පිරවිය හැකි අතර, එය ඉහළ බන්ධන ශක්තියක් සහිත මිනිරන් අනුකෘතියට රසායනිකව බන්ධනය වේ. ආලේපනයේ Ta සිට C අනුපාතය 1: 1 ට ආසන්න වේ. GDMS සංශුද්ධතාවය හඳුනාගැනීමේ ප්‍රමිතිය ASTM F1593, අපිරිසිදු සාන්ද්‍රණය 121ppm ට වඩා අඩුය. ආෙල්පන පැතිකඩෙහි අංක ගණිත මධ්යන්ය අපගමනය (Ra) 662nm වේ.
සාමාන්ය යෙදුම්:
GaN සහSiC epitaxialවේෆර් වාහක, සැටලයිට් පිඟන්, ෂවර් හෙඩ්ස්, ඉහළ ආවරණ සහ අනුකාරක ඇතුළුව CVD ප්‍රතික්‍රියාකාරක සංරචක.
SiC, GaN සහ AlN ස්ඵටික වර්ධන සංරචක, කෲසිබල්, බීජ ස්ඵටික රඳවනයන්, ප්රවාහ මාර්ගෝපදේශ සහ පෙරහන්.
ප්‍රතිරෝධක තාපන මූලද්‍රව්‍ය, තුණ්ඩ, ආවරණ වළලු සහ බ්‍රේසිං සවිකිරීම් ඇතුළු කාර්මික සංරචක.
ප්රධාන ලක්ෂණ:
2600℃ හි ඉහළ උෂ්ණත්ව ස්ථායිතාව
H හි දරුණු රසායනික පරිසරයන් තුළ ස්ථාවර-රාජ්ය ආරක්ෂාව සපයයි2, NH3, SiH4සහ Si වාෂ්ප
කෙටි නිෂ්පාදන චක්‍ර සහිත මහා පරිමාණ නිෂ්පාදනය සඳහා සුදුසු වේ.
