TaC ආලේපනයලෝහ කාබනික රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීමේ (MOCVD) තාක්ෂණයෙන් සාමාන්‍යයෙන් මිනිරන් පදනමක් මත සකස් කරන ලද වැදගත් ද්‍රව්‍ය ආලේපනයකි. මෙම ආලේපනය ඉහළ දෘඪතාව, විශිෂ්ට ඇඳුම් ප්රතිරෝධය, ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්රතිරෝධය සහ රසායනික ස්ථායීතාවය වැනි විශිෂ්ට ගුණාංග ඇති අතර විවිධ ඉහළ ඉල්ලුමක් ඇති ඉංජිනේරු යෙදුම් සඳහා සුදුසු වේ.
MOCVD තාක්ෂණය යනු බහුලව භාවිතා වන තුනී පටල වර්ධන තාක්‍ෂණයක් වන අතර එය ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී ප්‍රතික්‍රියාශීලී වායූන් සමඟ ලෝහ කාබනික පූර්වගාමීන් ප්රතික්රියා කිරීමෙන් උපස්ථර මතුපිට අපේක්ෂිත සංයෝග පටල තැන්පත් කරයි. සූදානම් වන විටTaC ආලේපනය, සුදුසු ලෝහ කාබනික පූර්වගාමීන් සහ කාබන් ප්රභවයන් තෝරාගැනීම, ප්රතික්රියා තත්ත්වයන් සහ තැන්පත් කිරීමේ පරාමිතීන් පාලනය කිරීම, ඒකාකාර සහ ඝන TaC චිත්රපටයක් මිනිරන් පදනමක් මත තැන්පත් කළ හැකිය.
Semicera විවිධ සංරචක සහ වාහකයන් සඳහා විශේෂිත ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) ආලේපන සපයයි.Semicera ප්‍රමුඛ ආෙල්පන ක්‍රියාවලිය ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) ආෙල්පනවලට ඉහළ සංශුද්ධතාවය, ඉහළ උෂ්ණත්ව ස්ථායීතාව සහ ඉහළ රසායනික ඉවසීම ලබා ගැනීමට හැකියාව ලබා දෙයි, SIC/GAN ස්ඵටිකවල සහ EPI ස්ථරවල නිෂ්පාදන ගුණත්වය වැඩි දියුණු කරයි (ග්රැෆයිට් ආලේපිත TaC susceptor), සහ ප්රධාන ප්රතික්රියාකාරක සංරචකවල ආයු කාලය දීර්ඝ කිරීම. ටැන්ටලම් කාබයිඩ් TaC ආලේපනය භාවිතා කිරීම දාර ගැටලුව විසඳීම සහ ස්ඵටික වර්ධනයේ ගුණාත්මක භාවය වැඩිදියුණු කිරීම සඳහා වන අතර, Semicera විසින් ජාත්‍යන්තර උසස් මට්ටමට ළඟා වෙමින් ටැන්ටලම් කාබයිඩ් ආලේපන තාක්ෂණය (CVD) විසඳා ඇත.
වසර ගණනාවක සංවර්ධනයෙන් පසු, Semicera තාක්ෂණය ජයගෙන ඇතCVD TaCපර්යේෂණ සහ සංවර්ධන දෙපාර්තමේන්තුවේ ඒකාබද්ධ උත්සාහයන් සමඟ. SiC වේෆර්වල වර්ධන ක්‍රියාවලියේදී දෝෂ ඇතිවීම පහසුය, නමුත් භාවිතයෙන් පසුවTaC, වෙනස සැලකිය යුතු ය. පහත දැක්වෙන්නේ TaC සමඟ සහ රහිත වේෆර්වල සංසන්දනය මෙන්ම තනි ස්ඵටික වර්ධනය සඳහා Simicera' කොටස් ය.
TaC සමඟ සහ නැතිව
TaC භාවිතා කිරීමෙන් පසු (දකුණ)
එපමණක් නොව, සෙමිසෙරාගේTaC ආලේපිත නිෂ්පාදනහා සසඳන විට දිගු සේවා කාලය සහ වැඩි ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්රතිරෝධයක් පෙන්නුම් කරයිSiC ආලේපන.රසායනාගාර මිනුම් අපගේ බව පෙන්නුම් කර ඇතTaC ආලේපනදිගු කාලයක් සඳහා සෙල්සියස් අංශක 2300 දක්වා උෂ්ණත්වවලදී අඛණ්ඩව සිදු කළ හැක. අපගේ සාම්පල සඳහා උදාහරණ කිහිපයක් පහත දැක්වේ:
