Semicera විවිධ සංරචක සහ වාහකයන් සඳහා විශේෂිත ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) ආලේපන සපයයි.Semicera ප්‍රමුඛ ආෙල්පන ක්‍රියාවලිය ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) ආෙල්පනවලට ඉහළ සංශුද්ධතාවය, ඉහළ උෂ්ණත්ව ස්ථායීතාව සහ ඉහළ රසායනික ඉවසීම ලබා ගැනීමට හැකියාව ලබා දෙයි, SIC/GAN ස්ඵටිකවල සහ EPI ස්ථරවල නිෂ්පාදන ගුණත්වය වැඩි දියුණු කරයි (ග්රැෆයිට් ආලේපිත TaC susceptor), සහ ප්රධාන ප්රතික්රියාකාරක සංරචකවල ආයු කාලය දීර්ඝ කිරීම. ටැන්ටලම් කාබයිඩ් TaC ආලේපනය භාවිතා කිරීම දාර ගැටළුව විසඳීම සහ ස්ඵටික වර්ධනයේ ගුණාත්මක භාවය වැඩිදියුණු කිරීම සඳහා වන අතර, Semicera විසින් ජාත්‍යන්තර උසස් මට්ටමට ළඟා වෙමින් ටැන්ටලම් කාබයිඩ් ආලේපන තාක්ෂණය (CVD) විසඳා ඇත.
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් ග්‍රහලෝක තැටියේ ක්‍රියාකාරී මූලධර්මය ග්‍රහලෝක ගියර් සම්ප්‍රේෂණයට සමාන වන අතර, ග්‍රහලෝක තැටිය අතරමැදි ධාවක මූලද්‍රව්‍යයක් ලෙස ක්‍රියා කරන අතර අභ්‍යන්තර සහ පිටත ගියර් සමඟ ගැටීමෙන් බල සම්ප්‍රේෂණය සහ චලන පාලනය අවබෝධ කර ගනී. ග්‍රහලෝක තැටියේ සාමාන්‍යයෙන් දත් වලවල් කිහිපයක් ඇති අතර ඒවා සුමට සම්ප්‍රේෂණයක් සහ ඉහළ ව්‍යවර්ථ ප්‍රතිදානයක් ලබා ගැනීම සඳහා අභ්‍යන්තර සහ පිටත ගියර් සමඟ සම්බන්ධ වේ.
TaC සමඟ සහ නැතිව
TaC භාවිතා කිරීමෙන් පසු (දකුණ)
ටැන්ටලම් කාබයිඩ් ග්‍රහලෝක තැටියේ ලක්ෂණ පහත පරිදි වේ:
1. ප්‍රතිරෝධය පැළඳීම: ටැන්ටලම් කාබයිඩ් ද්‍රව්‍ය අතිශයින් ඉහළ දෘඪතාවක් සහ ඇඳුම් ප්රතිරෝධයක් ඇති අතර, අධික බර සහ අධිවේගී චලන තත්වයන් යටතේ හොඳ කල්පැවැත්මක් පවත්වා ගත හැකි අතර, ඇඳීම හා ඝර්ෂණ අලාභය අඩු කරයි.
2. ඉහළ උෂ්ණත්ව ස්ථායීතාව: ටැන්ටලම් කාබයිඩ් විශිෂ්ට ඉහළ උෂ්ණත්ව ස්ථායීතාවයක් ඇති අතර ඉහළ උෂ්ණත්ව ක්රියාවලීන් සහ යෙදුම් සඳහා සුදුසු වන හානියකින් තොරව ඉහළ උෂ්ණත්ව පරිසරයක දිගු කාලයක් ධාවනය කළ හැකිය.
3. අඩු ඝර්ෂණ සංගුණකය: ටැන්ටලම් කාබයිඩ් මතුපිට අඩු ඝර්ෂණ සංගුණකයක් ඇති අතර, සම්ප්‍රේෂණයේදී බලශක්ති අලාභය සහ තාප උත්පාදනය අඩු කරන අතර සම්ප්‍රේෂණ කාර්යක්ෂමතාව වැඩි දියුණු කරයි.
4. ඉහළ නිරවද්‍යතාවය සහ ස්ථායීතාවය: ටැන්ටලම් කාබයිඩ් ග්‍රහලෝක තැටි සියුම් ශිල්පීය හැකියාවෙන්, ඉහළ නිරවද්‍යතාවයකින් සහ ස්ථායීතාවයෙන් නිපදවා ඇති අතර, නිරවද්‍ය සම්ප්‍රේෂණය සහ ස්ථාන පාලනය ලබා ගත හැක.
එපමණක් නොව, සෙමිසෙරාගේTaC ආලේපිත නිෂ්පාදනහා සසඳන විට දිගු සේවා කාලය සහ වැඩි ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්රතිරෝධයක් පෙන්නුම් කරයිSiC ආලේපන.රසායනාගාර මිනුම් අපගේ බව පෙන්නුම් කර ඇතTaC ආලේපනදිගු කාලයක් සඳහා සෙල්සියස් අංශක 2300 දක්වා උෂ්ණත්වවලදී අඛණ්ඩව සිදු කළ හැක. අපගේ සාම්පල සඳහා උදාහරණ කිහිපයක් පහත දැක්වේ:
