Semicera විසින් පිරිනමනු ලබන CVD Silicon Carbide(SiC) මුදු අර්ධ සන්නායක කැටයම් කිරීමේ ප්‍රධාන කොටස් වේ, අර්ධ සන්නායක උපාංග නිෂ්පාදනයේ වැදගත් අදියරකි. මෙම CVD Silicon Carbide(SiC) මුදු වල සංයුතිය, කැටයම් කිරීමේ ක්‍රියාවලියේ කටුක තත්වයන්ට ඔරොත්තු දිය හැකි රළු සහ කල් පවතින ව්‍යුහයක් සහතික කරයි. රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් වීම ඉහළ සංශුද්ධතාවය, ඒකාකාර සහ ඝන SiC ස්ථරයක් සෑදීමට උපකාරී වන අතර, වළලුවලට විශිෂ්ට යාන්ත්‍රික ශක්තියක්, තාප ස්ථායීතාවයක් සහ විඛාදන ප්රතිරෝධයක් ලබා දෙයි.
අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනයේ ප්‍රධාන අංගයක් ලෙස, CVD Silicon Carbide(SiC) Rings අර්ධ සන්නායක චිප් වල අඛණ්ඩතාව ආරක්ෂා කිරීම සඳහා ආරක්ෂිත බාධකයක් ලෙස ක්‍රියා කරයි. එහි නිරවද්‍ය සැලසුම ඒකාකාර සහ පාලිත කැටයම් කිරීම සහතික කරයි, එය ඉතා සංකීර්ණ අර්ධ සන්නායක උපාංග නිෂ්පාදනයට උපකාරී වන අතර වැඩිදියුණු කළ කාර්ය සාධනය සහ විශ්වසනීයත්වය සපයයි.
මුදු ඉදිකිරීමේදී CVD SiC ද්‍රව්‍ය භාවිතය අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනයේ ගුණාත්මකභාවය සහ ක්‍රියාකාරීත්වය සඳහා කැපවීමක් පෙන්නුම් කරයි. මෙම ද්‍රව්‍යයට ඉහළ තාප සන්නායකතාව, විශිෂ්ට රසායනික නිෂ්ක්‍රියතාව, සහ ඇඳුම් සහ විඛාදන ප්‍රතිරෝධය ඇතුළු අද්විතීය ගුණාංග ඇත, CVD Silicon Carbide(SiC) Rings අර්ධ සන්නායක කැටයම් කිරීමේ ක්‍රියාවලීන්හි නිරවද්‍යතාවය සහ කාර්යක්ෂමතාව සඳහා අත්‍යවශ්‍ය අංගයක් බවට පත් කරයි.
Semicera's CVD Silicon Carbide (SiC) Ring අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන ක්ෂේත්රයේ උසස් විසඳුමක් නියෝජනය කරයි, රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කරන ලද සිලිකන් කාබයිඩ්වල අද්විතීය ගුණාංග භාවිතා කරමින් විශ්වාසදායක සහ ඉහළ ක්‍රියාකාරී කැටයම් ක්‍රියාවලීන් ලබා ගනිමින් අර්ධ සන්නායක තාක්‍ෂණයේ අඛණ්ඩ දියුණුව ප්‍රවර්ධනය කරයි. උසස් තත්ත්වයේ සහ කාර්යක්ෂම කැටයම් විසඳුම් සඳහා අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තයේ ඉල්ලුම සපුරාලීම සඳහා විශිෂ්ට නිෂ්පාදන සහ වෘත්තීය තාක්ෂණික සහාය පාරිභෝගිකයින්ට ලබා දීමට අපි කැපවී සිටිමු.
✓චීන වෙළෙඳපොළ තුළ ඉහළම තත්ත්වයේ
✓ඔබට සෑම විටම හොඳ සේවාවක්, පැය 7*24
✓ බෙදා හැරීමේ කෙටි දිනය
✓කුඩා MOQ සාදරයෙන් පිළිගනිමු
✓අභිරුචි සේවා
Epitaxy Growth Susceptor
සිලිකන්/සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර් ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංගවල භාවිතා කිරීමට බහු ක්‍රියාවලි හරහා යා යුතුය. වැදගත් ක්‍රියාවලියක් වන්නේ silicon/sic epitaxy වන අතර, සිලිකන්/sic වේෆර් ග්‍රැෆයිට් පදනමක් මත ගෙන යනු ලැබේ. Semicera's silicon carbide-coated graphite base හි විශේෂ වාසි අතර අතිශයින්ම ඉහල සංශුද්ධතාවය, ඒකාකාර ආලේපනය සහ අතිශය දිගු සේවා කාලය ඇතුළත් වේ. ඒවාට ඉහළ රසායනික ප්රතිරෝධයක් සහ තාප ස්ථායීතාවයක් ද ඇත.
LED චිප් නිෂ්පාදනය
MOCVD ප්රතික්රියාකාරකයේ විස්තීරණ ආලේපනය අතරතුර, ග්රහලෝක පදනම හෝ වාහකය උපස්ථර වේෆරය චලනය කරයි. මූලික ද්‍රව්‍යයේ ක්‍රියාකාරිත්වය ආලේපනයේ ගුණාත්මකභාවය කෙරෙහි විශාල බලපෑමක් ඇති කරයි, එය අනෙක් අතට චිපයේ සීරීම් අනුපාතයට බලපායි. Semicera හි සිලිකන් කාබයිඩ්-ආලේපිත පදනම උසස් තත්ත්වයේ LED වේෆර්වල නිෂ්පාදන කාර්යක්ෂමතාව වැඩි කරන අතර තරංග ආයාම අපගමනය අවම කරයි. දැනට භාවිතා කරන සියලුම MOCVD ප්‍රතික්‍රියාකාරක සඳහා අපි අතිරේක මිනිරන් කොටස් ද සපයන්නෙමු. අපට ඕනෑම සංරචකයක් පාහේ සිලිකන් කාබයිඩ් ආලේපනයකින් ආලේප කළ හැකිය, සංරචක විෂ්කම්භය 1.5M දක්වා වුවද, අපට තවමත් සිලිකන් කාබයිඩ් ආලේප කළ හැකිය.
අර්ධ සන්නායක ක්ෂේත්රය, ඔක්සිකරණ විසරණ ක්රියාවලිය, ආදිය.
අර්ධ සන්නායක ක්‍රියාවලියේදී, ඔක්සිකරණ ප්‍රසාරණ ක්‍රියාවලියට ඉහළ නිෂ්පාදන සංශුද්ධතාවයක් අවශ්‍ය වන අතර, Semicera හිදී අපි සිලිකන් කාබයිඩ් කොටස් බහුතරයක් සඳහා අභිරුචි සහ CVD ආලේපන සේවා පිරිනමන්නෙමු.
පහත පින්තූරයේ දැක්වෙන්නේ සෙමිසියා හි දළ වශයෙන් සැකසූ සිලිකන් කාබයිඩ් පොහොර සහ 100 හි පිරිසිදු කරන ලද සිලිකන් කාබයිඩ් උදුන නළයයි.0- මට්ටමේදූවිලි රහිතකාමරය. අපගේ සේවකයින් ආලේපනය කිරීමට පෙර වැඩ කරයි. අපගේ සිලිකන් කාබයිඩ් වල සංශුද්ධතාවය 99.99% දක්වා ළඟා විය හැකි අතර, සික් ආලේපනයේ සංශුද්ධතාවය 99.99995% ට වඩා වැඩි වේ..
Cleing හි අමු සිලිකන් කාබයිඩ් පැඩලය සහ SiC ක්‍රියාවලි නළය
සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර් බෝට්ටුව CVD SiC ආලේප කර ඇත
