GaAs උපස්ථර සන්නායක සහ අර්ධ පරිවාරක ලෙස බෙදී ඇති අතර ඒවා ලේසර් (LD), අර්ධ සන්නායක ආලෝක විමෝචක ඩයෝඩ (LED), ආසන්න අධෝරක්ත ලේසර්, ක්වොන්ටම් ළිං අධි බල ලේසර් සහ අධි-කාර්යක්ෂම සූර්ය පැනල වල බහුලව භාවිතා වේ.රේඩාර්, මයික්‍රෝවේව්, මිලිමීටර තරංග හෝ අතිශය අධිවේගී පරිගණක සහ දෘශ්‍ය සන්නිවේදනය සඳහා HEMT සහ HBT චිප්ස්;රැහැන් රහිත සන්නිවේදනය සඳහා රේඩියෝ සංඛ්යාත උපාංග, 4G, 5G, චන්ද්රිකා සන්නිවේදනය, WLAN.
මෑතක දී, gallium arsenide උපස්ථර කුඩා LED, Micro-LED සහ රතු LED වල ද විශාල ප්‍රගතියක් ලබා ඇති අතර AR/VR පැළඳිය හැකි උපාංගවල බහුලව භාවිතා වේ.
| විෂ්කම්භය | 50mm |75mm |100mm |150 මි.මී |
| වර්ධන ක්රමය | LEC液封直拉法 |
| වේෆර් ඝණකම | 350 um ~ 625 um |
| දිශානතිය | <100> / <111> / <110> හෝ වෙනත් |
| සන්නායක වර්ගය | P - වර්ගය / N - වර්ගය / අර්ධ පරිවාරක |
| වර්ගය/Dopant | Zn / Si / ඉවත් නොකළ |
| වාහක සාන්ද්රණය | 1E17 ~ 5E19 cm-3 |
| RT හි ප්රතිරෝධය | SI සඳහා ≥1E7 |
| සංචලනය | ≥4000 |
| EPD(Etch Pit Density) | 100~1E5 |
| TTV | ≤ 10 උ |
| දුන්න / Warp | ≤ 20 උ |
| මතුපිට නිමාව | DSP/SSP |
| ලේසර් ලකුණ |
|
| ශ්රේණියේ | එපි ඔප දැමූ ශ්‍රේණිය / යාන්ත්‍රික ශ්‍රේණිය |
