හි මූලික සංරචක වලින් එකක් ලෙසMOCVD උපකරණ, මිනිරන් පදනම යනු චිත්‍රපට ද්‍රව්‍යයේ ඒකාකාරිත්වය සහ සංශුද්ධතාවය කෙලින්ම තීරණය කරන උපස්ථරයේ වාහක සහ තාපන ශරීරය වන අතර, එම නිසා එහි ගුණාත්මක භාවය කෙලින්ම epitaxial පත්‍රය සැකසීමට බලපාන අතර ඒ සමඟම, සංඛ්‍යාව වැඩි වීමත් සමඟ භාවිතය සහ සේවා කොන්දේසි වෙනස් කිරීම, එය පරිභෝජන භාණ්ඩවලට අයත්, ඇඳීමට ඉතා පහසුය.
මිනිරන් විශිෂ්ට තාප සන්නායකතාවය සහ ස්ථායීතාවයක් ඇතත්, එය මූලික සංරචකයක් ලෙස හොඳ වාසියක් ඇතMOCVD උපකරණ, නමුත් නිෂ්පාදන ක්රියාවලියේදී, විඛාදන වායූන් සහ ලෝහමය කාබනික ද්රව්යවල අවශේෂ හේතුවෙන් මිනිරන් කුඩු විඛාදනයට ලක් වන අතර, ග්රැෆයිට් පදනමේ සේවා කාලය බෙහෙවින් අඩු වනු ඇත.ඒ අතරම, පහත වැටෙන මිනිරන් කුඩු චිපයට දූෂණය වීමට හේතු වේ.
ආෙල්පන තාක්ෂණය මතුවීම මතුපිට කුඩු සවි කිරීම, තාප සන්නායකතාව වැඩි දියුණු කිරීම සහ තාප ව්යාප්තිය සමාන කිරීම, මෙම ගැටළුව විසඳීම සඳහා ප්රධාන තාක්ෂණය බවට පත් වී ඇත.ග්රැෆයිට් පදනම තුළMOCVD උපකරණපරිසරය භාවිතා කිරීම, මිනිරන් පාදක මතුපිට ආලේපනය පහත ලක්ෂණ සපුරාලිය යුතුය:
(1) මිනිරන් පාදය සම්පූර්ණයෙන්ම ඔතා ගත හැකි අතර, ඝනත්වය හොඳ වේ, එසේ නොමැතිනම් මිනිරන් පදනම විඛාදන වායුව තුළ විඛාදනයට ලක් කිරීම පහසුය.
(2) ඉහළ උෂ්ණත්ව සහ අඩු උෂ්ණත්ව චක්‍ර කිහිපයකට පසු ආලේපනය ගැලවී යාම පහසු නොවන බව සහතික කිරීම සඳහා ග්රැෆයිට් පදනම සමඟ සංයෝජන ශක්තිය ඉහළය.
(3) අධික උෂ්ණත්වය සහ විඛාදන වායුගෝලය තුළ ආලේපනය අසාර්ථක වීම වැළැක්වීම සඳහා හොඳ රසායනික ස්ථායීතාවයක් ඇත.
SiC හට විඛාදන ප්‍රතිරෝධය, ඉහළ තාප සන්නායකතාවය, තාප කම්පන ප්‍රතිරෝධය සහ ඉහළ රසායනික ස්ථායීතාවයේ වාසි ඇති අතර, GaN epitaxial වායුගෝලයේ හොඳින් ක්‍රියා කළ හැකිය.මීට අමතරව, SiC හි තාප ප්‍රසාරණ සංගුණකය ග්රැෆයිට් වලට වඩා ඉතා සුළු වශයෙන් වෙනස් වේ, එබැවින් SiC යනු මිනිරන් පාදයේ මතුපිට ආලේපනය සඳහා වඩාත් කැමති ද්‍රව්‍ය වේ.
වර්තමානයේ, පොදු SiC ප්රධාන වශයෙන් 3C, 4H සහ 6H වර්ගය වන අතර විවිධ ස්ඵටික වර්ගවල SiC භාවිතය වෙනස් වේ.උදාහරණයක් ලෙස, 4H-SiC අධි බල උපාංග නිෂ්පාදනය කළ හැකිය;6H-SiC වඩාත්ම ස්ථායී වන අතර ප්‍රකාශ විද්‍යුත් උපාංග නිෂ්පාදනය කළ හැක;GaN හා සමාන ව්‍යුහය නිසා, 3C-SiC GaN epitaxial ස්ථරය නිෂ්පාදනය කිරීමට සහ SiC-GaN RF උපාංග නිෂ්පාදනය කිරීමට භාවිතා කළ හැක.3C-SiC ලෙසද පොදුවේ හැඳින්වේβ-SiC, සහ වැදගත් භාවිතයකිβ-SiC යනු චිත්රපටයක් සහ ආලේපන ද්රව්යයක් ලෙසයβ-SiC දැනට ආලේපනය සඳහා ප්රධාන ද්රව්යය වේ.
පසු කාලය: නොවැම්බර්-06-2023