නිෂ්පාදනය විස්තරය
අපගේ සමාගම සපයයිSiC ආලේපනයමිනිරන්, පිඟන් මැටි සහ අනෙකුත් ද්‍රව්‍ය මතුපිට CVD ක්‍රමයට සේවා ක්‍රියාවට නංවා, කාබන් සහ සිලිකන් අඩංගු විශේෂ වායූන් ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී ප්‍රතික්‍රියා කර ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් SiC අණු, ආලේපිත ද්‍රව්‍යවල මතුපිට තැන්පත් වී ඇති අණු ලබා ගනී.SIC ආරක්ෂිත ස්ථරය.
ප්රධාන ලක්ෂණ:
1. ඉහළ උෂ්ණත්ව ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය:
උෂ්ණත්වය සෙල්සියස් අංශක 1600 තරම් ඉහළ මට්ටමක පවතින විට ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය තවමත් ඉතා යහපත් වේ.
2. ඉහළ සංශුද්ධතාවය : අධික උෂ්ණත්ව ක්ලෝරීන තත්ත්වය යටතේ රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් වීමෙන් සෑදී ඇත.
3. ඛාදනය ප්රතිරෝධය: ඉහළ දෘඪතාව, සංයුක්ත මතුපිට, සියුම් අංශු.
4. විඛාදන ප්රතිරෝධය: අම්ලය, ක්ෂාර, ලුණු සහ කාබනික ප්රතික්රියාකාරක.
CVD-SIC ආලේපනයේ ප්රධාන පිරිවිතර
| SiC-CVD ගුණාංග | ||
| ස්ඵටික ව්යුහය | FCC β අදියර | |
| ඝනත්වය | g/cm ³ | 3.21 |
| දැඩි බව | විකර්ස් දෘඪතාව | 2500 |
| ධාන්ය ප්රමාණය | μm | 2~10 |
| රසායනික සංශුද්ධතාවය | % | 99.99995 |
| තාප ධාරිතාව | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimation උෂ්ණත්වය | ℃ | 2700 |
| Felexural ශක්තිය | MPa (RT 4-ලක්ෂ්‍යය) | 415 |
| යන්ග් මාපාංකය | Gpa (4pt වංගුව, 1300℃) | 430 |
| තාප ප්‍රසාරණය (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| තාප සන්නායකතාව | (W/mK) | 300 |
-
අධි-උෂ්ණත්වය SiC-ආලේපිත එපිටැක්සියල් ප්රතික්රියාකාරකය B...
-
Epitaxial වර්ධනය සඳහා SiC ආලේපිත ග්රැෆයිට් බැරලය
-
LMJ microjet ලේසර් තාක්ෂණික උපකරණ
-
SiC-ආලේපිත අර්ධ සන්නායක Epitaxial ප්රතික්රියාකාරකය සඳහා ...
-
මිනිරන් හීටර් උණුසුම් කලාපය/මිනිරන් උණුසුම් ක්ෂේත්රය, ca...
-
ප්‍රතික්‍රියා සින්ටර් කළ සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර් බෝට්ටුව