විස්තර
අපගේ සමාගම මිනිරන්, පිඟන් මැටි සහ වෙනත් ද්‍රව්‍යවල මතුපිට CVD ක්‍රමයට SiC ආලේපන ක්‍රියාවලි සේවා සපයයි, එවිට කාබන් සහ සිලිකන් අඩංගු විශේෂ වායු ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් SiC අණු, ආලේපිත ද්‍රව්‍යවල මතුපිට තැන්පත් කර ඇති අණු ලබා ගැනීම සඳහා ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී ප්‍රතික්‍රියා කරයි. SIC ආරක්ෂිත ස්ථරය සෑදීම.
ප්රධාන ලක්ෂණ
1 .ඉහළ සංශුද්ධතාවය SiC ආලේපිත මිනිරන්
2. සුපිරි තාප ප්රතිරෝධය සහ තාප ඒකාකාරිත්වය
3. සිනිඳු මතුපිටක් සඳහා ආලේප කරන ලද සියුම් SiC ස්ඵටික
4. රසායනික පිරිසිදු කිරීමට එරෙහිව ඉහළ කල්පැවැත්ම
CVD-SIC ආලේපනයේ ප්රධාන පිරිවිතර
| SiC-CVD ගුණාංග | ||
| ස්ඵටික ව්යුහය | FCC β අදියර | |
| ඝනත්වය | g/cm ³ | 3.21 |
| දැඩි බව | විකර්ස් දෘඪතාව | 2500 |
| ධාන්ය ප්රමාණය | μm | 2~10 |
| රසායනික සංශුද්ධතාවය | % | 99.99995 |
| තාප ධාරිතාව | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimation උෂ්ණත්වය | ℃ | 2700 |
| Felexural ශක්තිය | MPa (RT 4-ලක්ෂ්‍යය) | 415 |
| යන්ග් මාපාංකය | Gpa (4pt වංගුව, 1300℃) | 430 |
| තාප ප්‍රසාරණය (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| තාප සන්නායකතාව | (W/mK) | 300 |
-
බැරල් සසෙප්ටරයේ සිලිකන් එපිටාක්සියල් තැන්පත් වීම
-
සිලිකන් කාබයිඩ් ආලේපනය සහිත ග්‍රැෆයිට් සසෙප්ටරය...
-
සිලිකන් කාබයිඩ් ආලේපිත එපිටාක්සියල් ප්‍රතික්‍රියාකාරක බැරලය
-
Epitaxy ප්‍රතික්‍රියාකාරක පද්ධතියේ CVD එපිටාක්සියල් තැන්පත් වීම
-
උසස් තත්ත්වයේ ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) ආලේපනය
-
අර්ධ කොටස් ඩ්රම් නිෂ්පාදන එපිටාක්සියල් කොටස